วิเคราะห์ V-I Curve, Sheet Resistance, Resistivity ใช้ศึกษาความต้านทานของตัวนำและสารกึ่งตัวนำ โดยทำการวิเคราะห์ 3 - 5 จุด ต่อตัวอย่าง ขึ้นอยู่กับขนาดของตัวอย่าง ขนาดชิ้นงานควรใหญ่กว่า 2 × 2 cm ทำได้เฉพาะอุณหภูมิห้อง 25±3 °C ฟิล์มบางต้องมีค่านำไฟฟ้าสูงกว่าแผ่นรองรับ (Substate)
วิเคราะห์หา Resistivity (ความต้านทาน) และ Hall Coefficient (สัมประสิทธิ์ของฮอลล์) เพื่อคำนวณหาค่า Mobility และ Charge Concentration
ประกอบด้วย | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ความละเอียด 6 ½ หลัก | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ช่วงกระแสไฟฟ้า : 0.01 mA - 100 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
แม่เหล็กถาวร 1.04 Tesla |
ใช้วิเคราะห์ตัวอย่างที่เป็นสารกึ่งตัวนำ ตัวนำ และฟิล์มบางนำไฟฟ้า ที่เป็นแผ่นผิวเรียบขนาดไม่เกิน 1 × 1 cm หนาไม่เกิน 1 mm วัดได้เฉพาะอุณหภูมิห้อง 25±3 °C ความต้านของตัวอย่างไม่เกิน 3 เมกะโอห์ม
วิเคราะห์ค่า Impedance ในช่วง 40 Hz - 110 MHz และค่า Dielectric Constant
ตัวอย่างเป็นของแข็งที่มีการทำขั้วตัวนำไฟฟ้าแล้ว สามารถวัดได้เฉพาะอุณหภูมิห้อง 25±3 °C
สามารถใช้วิเคราะห์ผลทางไฟฟ้าเคมี (V-I) , Energy Storage, การเคลือบทางไฟฟ้าเคมี, Electro Chemical Impedance Spectroscopy (EIS) ใช้กับตัวอย่างที่เป็น ฟิล์มโลหะ วัสดุผสม และแกรไฟต์
ช่วงของการวัดวิเคราะห์
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|